DDR2 (dvigubas duomenų perdavimo greitis 2) SDRAM yra naujos kartos atminties technologijos standartas, kurį sukūrė JEDEC (Jungtinis elektroninės įrangos inžinerijos komitetas). Didžiausias skirtumas tarp ankstesnės kartos DDR atminties technologijos standarto yra tas, kad nors tas pats naudoja didėjantį laikrodį / pagrindinį duomenų perdavimo metodą, tuo pačiu delsiant, tačiau DDR2 atmintis turi dvigubai didesnę už ankstesnės kartos DDR atminties skaitymo talpą ( ty: 4 bitų duomenys perskaityti iš anksto parsisiunčiant). Kitaip tariant, DDR2 atmintis gali skaityti / rašyti duomenis 4 kartus didesniu nei išorinės magistralės greičiu per vieną laikrodį, ir gali veikti 4 kartus didesniu nei vidinio valdymo magistralės greičiu.
1. Pagrindiniai principai:
Lyginant su DDR, pagrindinis DDR2 patobulinimas yra tas, kad jis gali užtikrinti dvigubą DDR atminties pralaidumą, kai atminties modulio greitis yra vienodas. Tai daugiausia pasiekiama efektyviai naudojant du DRAM branduolius kiekviename įrenginyje. Priešingai, DDR atmintyje kiekviename įrenginyje gali būti naudojama tik viena DRAM šerdis. Kalbant techniškai, DDR2 atmintyje vis dar yra tik viena DRAM šerdis, tačiau ją galima pasiekti lygiagrečiai, kiekvienoje prieigoje apdorojant 4 duomenis, o ne du.
Kartu su duomenų buferiu, veikiančiu dvigubu greičiu, DDR2 atmintis gali apdoroti iki 4 bitų duomenų per kiekvieną laikrodžio ciklą, o tai yra dvigubai daugiau nei 2 bitų duomenys, kuriuos gali apdoroti tradicinė DDR atmintis. Kitas DDR2 atminties patobulinimas yra tas, kad vietoj tradicinio TSOP metodo naudojama FBGA pakuotė.
Vis dėlto, nors DDR2 atmintis naudoja tą patį DRAM pagrindinį greitį, kaip ir DDR, vis tiek turime naudoti naują pagrindinę plokštę, kad atitiktų DDR2 atmintį, nes fizinės DDR2 specifikacijos nesuderinamos su DDR. Pirma, sąsaja yra kitokia. DDR2 turi 240 smeigtukų, o DDR atmintis - 184 smeigtukus. Antra, DDR2 atminties VDIMM įtampa yra 1.8 V, kuri taip pat skiriasi nuo 2.5 V DDR atminties.
Be to, kadangi DDR2 standartas numato, kad visos DDR2 atmintinės yra supakuotos FBGA, skirtingai nuo šiuo metu plačiai naudojamo TSOP / TSOP-II paketo, FBGA paketas gali užtikrinti geresnį elektrinį našumą ir šilumos išsklaidymą, o tai yra stabili DDR2 atmintis. Darbas ir būsimų dažnių plėtra yra tvirtas pagrindas. Prisimenant DDR plėtrą, pradedant pirmosios kartos DDR200, pritaikyta asmeniniams kompiuteriams per DDR266, DDR333, ir šiandieninei dviejų kanalų DDR400 technologijai, pirmosios DDR kartos kūrimas pasiekė technologijos ribą ir ją buvo sunku patobulinti. atmintį taikant įprastus metodus. Plėtojant naujausią „Intel“ procesorių technologiją, priekinei magistralei reikia vis didesnio atminties pralaidumo, o DDR2 atmintis su didesniais ir stabilesniais veikimo dažniais bus bendra tendencija.
Prieš suprasdami daug naujų DDR2 atminties technologijų, pirmiausia apžvelkime duomenų rinkinį, kuriame lyginamos DDR ir DDR2 technologijos.
1) Vėlavimo problema:
Kaip matyti iš pirmiau pateiktos lentelės, tuo pačiu pagrindiniu dažniu faktinis DDR2 veikimo dažnis yra dvigubai didesnis nei DDR. Taip yra dėl to, kad DDR2 atmintis turi dvigubai didesnę nei standartinė DDR atmintis 4BIT išankstinio skaitymo galimybę. Kitaip tariant, nors DDR2, kaip ir DDR, naudoja pagrindinį duomenų perdavimo metodą tuo pačiu metu kaip laikrodžio pakėlimo ir nukritimo vėlavimas, DDR2 turi dvigubą DDR galimybę iš anksto perskaityti sistemos komandų duomenis. Kitaip tariant, esant tam pačiam 100 MHz veikimo dažniui, tikrasis DDR dažnis yra 200 MHz, o DDR2 gali siekti 400 MHz.
Tokiu būdu iškyla dar viena problema: DDR ir DDR2 atmintyse, kurių veikimo dažnis yra vienodas, pastarosios atminties vėlavimas yra lėtesnis nei pirmosios. Pavyzdžiui, DDR 200 ir DDR2-400 vėluoja vienodai, o pastarojo pralaidumas yra dvigubai didesnis. Tiesą sakant, DDR2-400 ir DDR 400 pralaidumas yra vienodas, jie abu yra 3.2 GB / s, tačiau pagrindinis DDR400 veikimo dažnis yra 200 MHz, o pagrindinis DDR2-400 - 100 MHz, o tai reiškia DDR2 vėlavimą -400 Tai didesnė nei DDR400.
2) Inkapsuliacija ir šilumos gamyba:
Didžiausias DDR2 atminties technologijos proveržis iš tikrųjų yra ne tai, kad vartotojai galvoja dvigubai daugiau nei DDR perdavimo pajėgumai, tačiau esant mažesnei šilumos gamybai ir mažesniam energijos suvartojimui, DDR2 gali pasiekti greitesnį dažnio padidėjimą ir proveržius. 400 MHz dažnio standartinė DDR.
DDR atmintis paprastai yra supakuota į TSOP lustą. Šis paketas gali gerai veikti esant 200 MHz. Kai dažnis yra didesnis, jo ilgi kaiščiai sukurs didelę impedanciją ir parazitinę talpą, o tai turės įtakos jo veikimui. Stabilumo ir dažnio sunkumai didėja. Štai kodėl pagrindiniam DDR dažniui sunku prasibrauti per 275 MHz. DDR2 atmintis priima FBGA paketo formą. Skirtingai nuo šiuo metu plačiai naudojamo TSOP paketo, FBGA paketas užtikrina geresnį elektrinį našumą ir šilumos išsklaidymą, o tai yra gera garantija stabiliam DDR2 atminties veikimui ir būsimų dažnių plėtrai.
DDR2 atmintyje naudojama 1.8 V įtampa, kuri yra daug mažesnė nei DDR standarto 2.5 V, taip užtikrindama žymiai mažesnę energijos sąnaudas ir mažiau šilumos. Šis pokytis yra reikšmingas.
2. DDR2 pritaikytos naujos technologijos:
Be pirmiau minėtų skirtumų, DDR2 taip pat pristato tris naujas technologijas: OCD, ODT ir Post CAS.
OKS („Off-Chip“ tvarkyklė): tai vadinamasis „offline drive“ reguliavimas. DDR II gali pagerinti signalo vientisumą per OKS. DDR II pakoreguoja traukimo / traukimo pasipriešinimo vertę, kad abi įtampos būtų lygios. Naudokite OCD, kad pagerintumėte signalo vientisumą, sumažindami DQ-DQS pasvirimą; pagerinti signalo kokybę kontroliuojant įtampą.
ODT: ODT yra įmontuoto šerdies nutraukimo rezistorius. Mes žinome, kad pagrindinėje plokštėje, naudojant DDR SDRAM, reikia daugybės rezistorių, kad signalas neatspindėtų duomenų linijos terminale. Tai labai padidina pagrindinės plokštės gamybos kainą. Iš tikrųjų skirtingi atminties moduliai turi skirtingus reikalavimus nutraukimo grandinei. Nutraukimo rezistoriaus dydis lemia duomenų linijos signalo santykį ir atspindį. Jei nutraukimo varža yra maža, duomenų linijos signalo atspindys yra mažas, tačiau signalo ir triukšmo santykis taip pat yra mažas; Jei nutraukimo varža yra didelė, duomenų linijos signalo ir triukšmo santykis bus didelis, tačiau signalo atspindys taip pat padidės. Todėl pagrindinės plokštės nutraukimo varža negali labai atitikti atminties modulio, ir tai tam tikru mastu paveiks signalo kokybę. DDR2 gali sukurti tinkamus nutraukimo rezistorius pagal savo charakteristikas, kad būtų užtikrinta geriausia signalo bangos forma. Naudojant DDR2 galima ne tik sumažinti pagrindinės plokštės kainą, bet ir gauti geriausią signalo kokybę, kurios neprilygsta DDR.
Paskelbkite CAS: Jis skirtas pagerinti DDR II atminties naudojimo efektyvumą. „Post CAS“ operacijoje CAS signalą (skaityti / rašyti / komandą) galima įterpti po vieno laikrodžio ciklo po RAS signalo, o CAS komanda gali likti galioti po papildomo uždelsimo („Additive Latency“). Originalus tRCD (nuo RAS iki CAS ir vėlavimas) pakeičiamas AL („Additive Latency“), kurį galima nustatyti 0, 1, 2, 3, 4. Kadangi CAS signalas dedamas po vieno laikrodžio ciklo po RAS signalo, ACT ir CAS signalai niekada nesusidurs.
Apskritai DDR2 naudoja daug naujų technologijų, kad pašalintų daugelį DDR trūkumų. Nors šiuo metu jis turi daug trūkumų dėl didelių išlaidų ir lėtos vėlavimo, manoma, kad nuolat tobulinant ir tobulinant technologijas, šios problemos galiausiai bus išspręstos. .
Mūsų kitas produktas:
